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お知らせ/展示会情報


先端半導体検査用プローブ開発のお知らせ

2026.03.02

 タカノ株式会社(長野県上伊那郡宮田村 代表取締役鷹野雅央)は、先端半導体検査用プローブを開発いたしましたので、以下のとおりお知らせいたします。

1. 開発技術の背景

近年、半導体デバイスの高集積化に伴い、検査用プローブのさらなる微細化と高精度化が求められています。特にプローブピンピッチの狭小化、高周波測定への対応が必要となっていました。従来技術では、プローブピンピッチの狭小化や精度、電極へのダメージ低減に限界がありました。

上記課題を解決するために、MEMS技術を活用した低コストの検査用プローブの技術開発に取り組んでまいりました。


2. 技術開発内容

①マルチコンタクト

②ユニバーサルコンタクト

③プローブピンピッチは業界最小クラスとなる20μm以下

④プローブピンのピッチ及び長さ精度は±1μm以下

⑤10万ピン以上の等ピッチアレイが可能

⑥高周波テストに対応し、電極への低ダメージ

⑦低コスト化


3. 今後の取り組み

今後、タカノ株式会社では、半導体検査用プローブ技術のさらなる高精度化を目指し、研究開発を進めてまいります。


【先端半導体検査プローブ 画像】

プローブアレイ外観図

プローブアレイ外観図

狭ピッチプローブ上面(約1500倍)

狭ピッチプローブ上面(約1500倍)

プローブ先端画像(約5000倍)

プローブ先端画像(約5000倍)


【電極(ハンダバンプ)へのコンタクト 画像】

当社20μmピッチ品

当社20μmピッチ品 コンタクト痕(2箇所)

従来プローブ(先端径24um)コンタクト痕

従来プローブ(先端径24μm) コンタクト痕

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